We weten dat het p-type en n-type halfgeleiders vallen onder extrinsieke halfgeleiders. De classificatie van de halfgeleider kan worden gedaan op basis van doping zoals intrinsiek en extrinsiek volgens de kwestie van de betreffende zuiverheid. Er zijn veel factoren die het belangrijkste verschil tussen deze twee halfgeleiders genereren. De vorming van p-type halfgeleidermateriaal kan worden gedaan door de groep III-elementen toe te voegen. Evenzo is het n-type halfgeleider materiaal kan worden gevormd door groep V-elementen toe te voegen. Dit artikel bespreekt het verschil tussen P-type halfgeleider en N-type halfgeleider.
Wat is P-type halfgeleider en N-type halfgeleider?
De definities van p-type en n-type en hun verschillen worden hieronder besproken.
De P-type halfgeleider kan worden gedefinieerd als, zodra de driewaardige onzuiverheidsatomen zoals indium, gallium worden toegevoegd aan een intrinsieke halfgeleider, en dan staat het bekend als een p-type halfgeleider. In deze halfgeleider zijn de meeste ladingsdragers gaten, terwijl minderheidsladingsdragers elektronen zijn. De dichtheid van het gat is hoger dan de elektronen dichtheid. Het acceptatieniveau ligt voornamelijk dichter bij de valentieband.
P-type halfgeleider
De N-type halfgeleider kan worden gedefinieerd als, zodra de vijfwaardige onzuiverheidsatomen zoals Sb, As worden toegevoegd aan een intrinsieke halfgeleider, en dan staat het bekend als een n-type halfgeleider. In deze halfgeleider zijn de meeste ladingsdragers elektronen, terwijl minderheidsladingsdragers gaten zijn. De dichtheid van elektronen is hoger dan de dichtheid van de gaten. Het donorniveau ligt voornamelijk dichter bij de geleidingsband.
N-type halfgeleider
Verschil tussen P-type halfgeleider en N-type halfgeleider
Het verschil tussen een p-type halfgeleider en een n-type halfgeleider omvat voornamelijk verschillende factoren namelijk de ladingsdragers zoals meerderheid & minderheid, dopingelement, aard van het dopingelement, de dichtheid van ladingsdragers, Fermi-niveau, energieniveau, de richtingbeweging van de meerderheid ladingsdragers, enz. Het verschil tussen deze twee is vermeld in de tabel formulier hieronder.
| P-type halfgeleider | N-type halfgeleider |
| De P-type halfgeleider kan worden gevormd door driewaardige onzuiverheden toe te voegen | De N-type halfgeleider kan worden gevormd door vijfwaardige onzuiverheden toe te voegen |
| Zodra de onzuiverheid is toegevoegd, ontstaan er gaten of leegstand van elektronen. Dit wordt dus een acceptoratoom genoemd. | Zodra de onzuiverheid is toegevoegd, geeft het extra elektronen. Dus dit wordt een donor-atoom genoemd. |
| De III-groepselementen zijn Ga, Al, In, enz | De V-groepselementen zijn As, P, Bi, Sb, etc. |
| De meeste ladingsdragers zijn gaten en minderheidsladingsdragers zijn elektronen | De meeste ladingsdragers zijn elektronen en minderheidsladingsdragers zijn gaten |
| Het Fermi-niveau van p-type halfgeleider ligt voornamelijk tussen het energieniveau van acceptor en de valentieband. | Het Fermi-niveau van n-type halfgeleiders ligt voornamelijk tussen het energieniveau van de donor en de geleidingsband. |
| De dichtheid van het gat is erg hoog dan de dichtheid van elektronen (nh >> ne) | De dichtheid van elektronen is erg hoog dan de dichtheid van gaten (ne >> nh) |
| De concentratie van de meeste ladingsdragers is meer | De concentratie van de meeste ladingsdragers is meer |
| Bij het p-type is het energieniveau van de acceptor dichtbij de valentieband en afwezig in de geleidingsband. | Bij het n-type is het energieniveau van de donor dichtbij de geleidingsband en afwezig in de valentieband. |
| De beweging van de meeste ladingdragers zal van hoog potentieel naar laag zijn. | De beweging van de meeste ladingdragers zal van laag potentieel naar hoog zijn. |
| Als de concentratie aan gaten hoog is, draagt deze halfgeleider de + Ve-lading. | Deze halfgeleider draagt bij voorkeur een -Ve lading. |
| De vorming van gaten in deze halfgeleider wordt acceptoren genoemd | De vorming van elektronen in deze halfgeleider wordt acceptoren genoemd |
| De geleidbaarheid van het p-type is te wijten aan de aanwezigheid van de meeste ladingsdragers zoals gaten | De geleidbaarheid van het n-type is te wijten aan de aanwezigheid van meerderheidsladingsdragers zoals elektronen. |
Veelgestelde vragen
1). Wat zijn de driewaardige elementen die in p-type worden gebruikt?
Ze zijn Ga, Al, etc.
2). Wat zijn vijfwaardige elementen die worden gebruikt in het n-type?
Ze zijn As, P, Bi, Sb
3). Wat is de dichtheid van gaten in p-type?
De gatendichtheid is hoog dan de elektronendichtheid (nh >> ne)
4). Wat is de dichtheid van elektronen in het n-type?
De elektronendichtheid is hoger dan de gatendichtheid (ne >> nh)
5). Wat zijn de soorten halfgeleiders?
Het zijn intrinsieke en extrinsieke halfgeleiders
6). Wat zijn de soorten extrinsieke halfgeleiders?
Het zijn p-type halfgeleiders en n-type halfgeleiders.
Dit gaat dus allemaal over het belangrijkste verschil tussen een p-type halfgeleider en een n-type halfgeleider In het n-type hebben de meeste ladingsdragers een lading van -ve, dus wordt het n-type genoemd. Evenzo kan in p-type het resultaat van een + ve lading worden gevormd in afwezigheid van elektronen, daarom wordt het p-type genoemd. De materiële ongelijkheid tussen de dotering van deze twee halfgeleiders is de stroomrichting van het elektron door de afgezette halfgeleiderlagen. Beide halfgeleiders zijn goede geleiders voor elektriciteit. Hier is een vraag voor u, wat is de beweging van de meeste ladingsdragers in p-type & n-type?
