Het bericht legt de belangrijkste specificaties en pinouts uit van een N-kanaals mosfet 2N7000G met klein signaal en laag vermogen.
Mosfets versus BJT's
Als we het hebben over mosfets, associëren we dit normaal gesproken met hoge stroom, hoge spanning en met krachtige toepassingen.
Net als gewone BJT's zijn er echter ook kleine signaal-mosftes beschikbaar die net zo effectief kunnen worden gebruikt als hun BJT-tegenhangers.
Mosfets zijn populair vanwege hun extreem hoge vermogensafgifte, maar toch kleiner met hun totale afmetingen.
In tegenstelling tot de BJT's, zouden mosfets enorme stromen en spanningen kunnen verwerken zonder zelf groter te worden en zonder tussenliggende buffertrappen of hoge stroomstuurtrappen.
Hoe Mosfet wordt geactiveerd
Het grootste voordeel van het gebruik van een mosfet is dat deze naar wens kan worden geactiveerd voor het bedienen van een bepaalde belasting, ongeacht de stuurstroom van de poort.
Met de bovenstaande functie kunnen mosfets rechtstreeks worden geactiveerd vanaf bronnen met een lage stroomsterkte, zoals CMOS- of TTL-uitgangen zonder de noodzaak van buffertrappen, een groot verschil in vergelijking met BJT's.
De bovenstaande functie is ook van toepassing op mosfets met een klein signaal die direct kunnen worden vervangen door BJT's met een klein signaal, zoals een BC547, voor het verkrijgen van veel efficiënte resultaten. Een voorbeeld van zo'n klein signaal mosfet datasheet, specificatie wordt hier besproken.
Het is de N-kanaal 2N7000G mosfet, typisch geschikt voor kleine signaaltoepassingen in het bereik van maximaal 200mA en 60V.
De weerstand van de aan-toestand over de afvoer- en bronaansluitingen is typisch ongeveer 5 ohm. De hoofdfuncties van deze mosfet met klein signaal en laag vermogen worden hieronder opgesomd:
Belangrijkste elektrische kenmerken:
Afvoer naar bronspanning Vdss = 60 V DC Poort naar bronspanning Vgs = +/- 20 V DC, +/- 40 V DC piek niet-repetitief, niet meer dan 50 microseconde Afvoerstroom Id = 200 mA DC continu, 500 mA gepulseerd
Totale vermogensdissipatie Pd bij Tc = 250 C (junctietemperatuur) = 350 mW De pinouts en pakketdetails zijn hier te zien:
Vorige: Laagdoorlaatfiltercircuit voor subwoofer Volgende: 10-bands grafische equalizer-schakeling
